NMOS กับ PMOS
A FET (Field Effect Transistor) เป็นอุปกรณ์ควบคุมแรงดันไฟฟ้าที่ความสามารถในการบรรทุกในปัจจุบันเปลี่ยนไปโดยใช้สนามไฟฟ้า FET ชนิดที่ใช้กันทั่วไปคือ Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET) MOSFET ใช้กันอย่างแพร่หลายในวงจรรวมและแอพพลิเคชั่นสวิตชิ่งความเร็วสูง MOSFET ทำงานโดยการเหนี่ยวนำช่องนำไฟฟ้าระหว่างหน้าสัมผัสสองจุดที่เรียกว่าแหล่งจ่ายและท่อระบายโดยใช้แรงดันไฟฟ้าบนขั้วไฟฟ้าเกทที่หุ้มฉนวนออกไซด์ MOSFET มีสองประเภทหลักที่เรียกว่า nMOSFET (ที่รู้จักกันทั่วไปในชื่อ NMOS) และ pMOSFET (ที่รู้จักกันทั่วไปในชื่อ PMOS) ขึ้นอยู่กับประเภทของพาหะที่ไหลผ่านช่องสัญญาณ
NMOS คืออะไร
ดังที่กล่าวไว้ก่อนหน้านี้ NMOS (nMOSFET) เป็นชนิดของ MOSFET ทรานซิสเตอร์ NMOS ประกอบด้วยแหล่งกำเนิด n-type และ drain และซับสเตรตประเภท p เมื่อใช้แรงดันไฟฟ้ากับเกต รูในร่างกาย (ซับสเตรตชนิด p) จะถูกขับออกจากเกต ซึ่งช่วยให้สร้างช่องสัญญาณชนิด n ระหว่างแหล่งกำเนิดและท่อระบายน้ำ และกระแสไฟฟ้าถูกนำโดยอิเล็กตรอนจากแหล่งกำเนิดไปยังท่อระบายน้ำผ่านช่องสัญญาณชนิด n ที่เหนี่ยวนำ ประตูลอจิกและอุปกรณ์ดิจิตอลอื่น ๆ ที่ใช้งานโดยใช้ NMOS กล่าวว่ามีตรรกะ NMOS มีโหมดการทำงานสามโหมดใน NMOS ที่เรียกว่าคัทออฟ ไตรโอด และความอิ่มตัวของสี ตรรกะ NMOS นั้นง่ายต่อการออกแบบและผลิต แต่วงจรที่มีลอจิกเกต NMOS จะกระจายพลังงานสถิตเมื่อวงจรไม่ทำงาน เนื่องจากกระแสไฟตรงจะไหลผ่านลอจิกเกทเมื่อเอาต์พุตต่ำ
PMOS คืออะไร
ดังที่กล่าวไว้ก่อนหน้านี้ PMOS (pMOSFET) เป็นชนิดของ MOSFET ทรานซิสเตอร์ PMOS ประกอบด้วยแหล่งกำเนิด p-type และ drain และซับสเตรตประเภท nเมื่อใช้แรงดันบวกระหว่างแหล่งจ่ายและเกต (แรงดันลบระหว่างเกตและแหล่งจ่าย) ช่องสัญญาณประเภท p จะถูกสร้างขึ้นระหว่างแหล่งกำเนิดและท่อระบายน้ำที่มีขั้วตรงข้ามกัน กระแสไหลผ่านรูจากแหล่งกำเนิดไปยังท่อระบายน้ำผ่านช่องทางประเภท p ที่ถูกเหนี่ยวนำ ไฟฟ้าแรงสูงที่เกตจะทำให้ PMOS ไม่ดำเนินการ ในขณะที่แรงดันต่ำบนเกตจะทำให้ไฟฟ้านำไฟฟ้า ประตูลอจิกและอุปกรณ์ดิจิทัลอื่น ๆ ที่ใช้งานโดยใช้ PMOS กล่าวว่ามีตรรกะ PMOS เทคโนโลยี PMOS มีต้นทุนต่ำและมีการป้องกันเสียงรบกวนที่ดี
NMOS กับ PMOS ต่างกันอย่างไร
NMOS สร้างขึ้นด้วยแหล่งสัญญาณ n-type และ drain และซับสเตรตประเภท p ในขณะที่ PMOS นั้นสร้างด้วยแหล่งกำเนิด p-type และ drain และซับสเตรตประเภท n ใน NMOS ตัวพาคืออิเล็กตรอน ในขณะที่ PMOS ตัวพาคือรู เมื่อใช้ไฟฟ้าแรงสูงกับเกต NMOS จะดำเนินการ ในขณะที่ PMOS จะไม่ดำเนินการ นอกจากนี้ เมื่อใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำในเกต NMOS จะไม่ดำเนินการและ PMOS จะดำเนินการNMOS ถือว่าเร็วกว่า PMOS เนื่องจากพาหะใน NMOS ซึ่งเป็นอิเล็กตรอนเดินทางได้เร็วกว่ารูเป็นสองเท่าซึ่งเป็นพาหะใน PMOS แต่อุปกรณ์ PMOS มีภูมิคุ้มกันต่อเสียงรบกวนมากกว่าอุปกรณ์ NMOS นอกจากนี้ NMOS IC จะเล็กกว่า PMOS IC (ที่ให้การทำงานเหมือนกัน) เนื่องจาก NMOS สามารถให้อิมพีแดนซ์ครึ่งหนึ่งของ PMOS ได้ (ซึ่งมีรูปทรงและสภาพการทำงานเหมือนกัน)
