MOSFET กับ BJT
ทรานซิสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ที่ให้สัญญาณเอาท์พุตไฟฟ้าที่เปลี่ยนแปลงอย่างมากสำหรับการเปลี่ยนแปลงเล็กน้อยในสัญญาณอินพุตขนาดเล็ก ด้วยคุณภาพนี้ อุปกรณ์นี้จึงสามารถใช้เป็นเครื่องขยายเสียงหรือสวิตช์ได้ ทรานซิสเตอร์เปิดตัวในปี 1950 และถือได้ว่าเป็นหนึ่งในสิ่งประดิษฐ์ที่สำคัญที่สุดในศตวรรษที่ 20 เมื่อพิจารณาถึงการสนับสนุนด้านไอที เป็นอุปกรณ์ที่มีการพัฒนาอย่างรวดเร็วและมีการแนะนำทรานซิสเตอร์หลายประเภท Bipolar Junction Transistor (BJT) เป็นประเภทแรกและ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) เป็นทรานซิสเตอร์อีกประเภทหนึ่งที่นำมาใช้ในภายหลัง
ไบโพลาร์จังก์ชั่นทรานซิสเตอร์ (BJT)
BJT ประกอบด้วยทางแยก PN สองทาง (ทางแยกที่ทำโดยการเชื่อมต่อเซมิคอนดักเตอร์ชนิด p และเซมิคอนดักเตอร์ชนิด n) รอยต่อทั้งสองนี้เกิดขึ้นโดยใช้การเชื่อมต่อชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์สามชิ้นตามลำดับ P-N-P หรือ N-P-N ดังนั้นจึงมี BJT สองประเภทที่รู้จักกันในชื่อ PNP และ NPN
อิเล็กโทรดสามตัวเชื่อมต่อกับสามส่วนเซมิคอนดักเตอร์และตะกั่วตรงกลางเรียกว่า 'ฐาน' อีกสองทางแยกคือ 'emitter' และ 'collector'
ใน BJT กระแสอีซีแอลขนาดใหญ่ (Ic) ถูกควบคุมโดยกระแสไฟฐานขนาดเล็ก (IB) และคุณสมบัตินี้ถูกใช้เพื่อออกแบบแอมพลิฟายเออร์หรือสวิตช์ ดังนั้นจึงถือได้ว่าเป็นอุปกรณ์ขับเคลื่อนในปัจจุบัน BJT ส่วนใหญ่จะใช้ในวงจรเครื่องขยายเสียง
ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามเซมิคอนดักเตอร์โลหะออกไซด์ (MOSFET)
MOSFET คือ Field Effect Transistor ประเภทหนึ่ง (FET) ซึ่งสร้างจากขั้วต่อสามขั้วที่เรียกว่า 'Gate', 'Source' และ 'Drain' ที่นี่กระแสไฟระบายถูกควบคุมโดยแรงดันเกต ดังนั้น MOSFET จึงเป็นอุปกรณ์ควบคุมแรงดันไฟฟ้า
MOSFET มีให้เลือก 4 ประเภท เช่น n channel หรือ p channel ในโหมด depletion หรือ Enhancement ท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิดทำจากเซมิคอนดักเตอร์ชนิด n สำหรับ n ช่อง MOSFET และในทำนองเดียวกันสำหรับอุปกรณ์ช่องสัญญาณ p ประตูทำด้วยโลหะและแยกออกจากแหล่งน้ำและท่อระบายน้ำโดยใช้โลหะออกไซด์ ฉนวนนี้ทำให้กินไฟน้อยและเป็นข้อได้เปรียบใน MOSFET ดังนั้น MOSFET จึงถูกใช้ในตรรกะ CMOS แบบดิจิทัล โดยที่ MOSFET แบบ p- และ n-channel ถูกใช้เป็นหน่วยการสร้างเพื่อลดการใช้พลังงานให้เหลือน้อยที่สุด
แม้ว่าแนวคิดของ MOSFET จะได้รับการเสนอในช่วงต้นมาก (ในปี 1925) แต่ก็ถูกนำไปใช้จริงในปี 1959 ที่ Bell labs
BJT กับ MOSFET
1. โดยทั่วไป BJT เป็นอุปกรณ์ที่ขับเคลื่อนด้วยกระแสไฟ MOSFET ถือเป็นอุปกรณ์ควบคุมแรงดันไฟฟ้า
2. เทอร์มินัลของ BJT เรียกว่าอีซีแอล คอลเลคเตอร์ และเบส ในขณะที่ MOSFET ทำจากเกท แหล่งจ่าย และท่อระบายน้ำ
3. ในแอปพลิเคชั่นใหม่ส่วนใหญ่ MOSFET ถูกใช้มากกว่า BJT
4. MOSFET มีโครงสร้างที่ซับซ้อนกว่าเมื่อเปรียบเทียบกับ BJT
5. MOSFET มีประสิทธิภาพในการใช้พลังงานมากกว่า BJT ดังนั้นจึงใช้ในตรรกะ CMOS
