BJT กับ IGBT
BJT (ไบโพลาร์จังก์ชั่นทรานซิสเตอร์) และ IGBT (ฉนวนเกทไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์) เป็นทรานซิสเตอร์สองประเภทที่ใช้ในการควบคุมกระแส อุปกรณ์ทั้งสองมีทางแยก PN และโครงสร้างอุปกรณ์ต่างกัน แม้ว่าทั้งคู่จะเป็นทรานซิสเตอร์ แต่ก็มีลักษณะที่แตกต่างกันอย่างมีนัยสำคัญ
BJT (ไบโพลาร์จังก์ชั่นทรานซิสเตอร์)
BJT เป็นทรานซิสเตอร์ประเภทหนึ่งที่ประกอบด้วยทางแยก PN สองทาง (ทางแยกที่สร้างโดยการเชื่อมต่อสารกึ่งตัวนำชนิด p และเซมิคอนดักเตอร์ชนิด n) รอยต่อทั้งสองนี้เกิดขึ้นโดยใช้การเชื่อมต่อชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์สามชิ้นตามลำดับ P-N-P หรือ N-P-N ดังนั้นจึงมี BJT สองประเภทที่เรียกว่า PNP และ NPN
อิเล็กโทรดสามตัวเชื่อมต่อกับสามส่วนเซมิคอนดักเตอร์และตะกั่วตรงกลางเรียกว่า 'ฐาน' อีกสองทางแยกคือ 'emitter' และ 'collector'
ใน BJT อิมิตเตอร์สะสมขนาดใหญ่ (Ic) กระแสถูกควบคุมโดยกระแสอีซีแอลฐานขนาดเล็ก (IB) และคุณสมบัตินี้ ถูกนำไปใช้ในการออกแบบแอมพลิฟายเออร์หรือสวิตช์ ดังนั้นจึงถือได้ว่าเป็นอุปกรณ์ขับเคลื่อนในปัจจุบัน BJT ส่วนใหญ่จะใช้ในวงจรเครื่องขยายเสียง
IGBT (ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เกตหุ้มฉนวน)
IGBT เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่มีขั้วต่อสามขั้วที่เรียกว่า "อิมิตเตอร์" "คอลเลคเตอร์" และ "เกต" เป็นทรานซิสเตอร์ประเภทหนึ่งซึ่งสามารถรองรับปริมาณพลังงานที่สูงขึ้นและมีความเร็วในการสวิตชิ่งที่สูงกว่าทำให้มีประสิทธิภาพสูง IGBT เปิดตัวสู่ตลาดในปี 1980
IGBT มีคุณสมบัติที่รวมกันของทั้ง MOSFET และทรานซิสเตอร์สองขั้วทางแยก (BJT) มันถูกขับเคลื่อนด้วยเกทเช่น MOSFET และมีลักษณะแรงดันกระแสเช่น BJTจึงมีข้อดีทั้งความสามารถในการจัดการกระแสไฟสูงและควบคุมง่าย โมดูล IGBT (ประกอบด้วยอุปกรณ์จำนวนหนึ่ง) รองรับกิโลวัตต์ของพลังงาน
ความแตกต่างระหว่าง BJT และ IGBT
1. BJT เป็นอุปกรณ์ขับเคลื่อนด้วยกระแสไฟ ในขณะที่ IGBT นั้นขับเคลื่อนด้วยแรงดันเกต
2. เทอร์มินัลของ IGBT เรียกว่าอีซีแอล คอลเลคเตอร์ และเกท ขณะที่ BJT ทำจากอีซีแอล คอลเลคเตอร์ และเบส
3. IGBT จัดการพลังงานได้ดีกว่า BJT
4. IGBT ถือได้ว่าเป็นการรวมกันของ BJT และ FET (Field Effect Transistor)
5. IGBT มีโครงสร้างอุปกรณ์ที่ซับซ้อนเมื่อเทียบกับ BJT
6. BJT มีประวัติอันยาวนานเมื่อเทียบกับ IGBT
