RAM แบบคงที่เทียบกับ RAM แบบไดนามิก (SRAM เทียบกับ DRAM)
RAM (Random Access Memory) คือหน่วยความจำหลักที่ใช้ในคอมพิวเตอร์ เซลล์หน่วยความจำแต่ละเซลล์สามารถเข้าถึงได้ในลำดับใดก็ได้ ดังนั้นจึงเรียกว่าหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม RAM แบ่งออกเป็น 2 ประเภทคือ Static RAM (SRAM) และ Dynamic RAM (DRAM) SRAM ใช้ทรานซิสเตอร์เพื่อเก็บข้อมูลเพียงบิตเดียวและไม่จำเป็นต้องรีเฟรชเป็นระยะ DRAM ใช้ตัวเก็บประจุแยกกันเพื่อจัดเก็บข้อมูลแต่ละบิต และจำเป็นต้องรีเฟรชเป็นระยะเพื่อรักษาประจุในตัวเก็บประจุ
สแตติกแรม (SRAM) คืออะไร
SRAM เป็น RAM ประเภทหนึ่งและเป็นหน่วยความจำแบบระเหย ซึ่งจะสูญเสียข้อมูลเมื่อปิดเครื่องใน SRAM แต่ละบิตที่เก็บข้อมูลประกอบด้วยทรานซิสเตอร์สี่หรือหกตัวที่ประกอบเป็นฟลิปฟล็อป มีทรานซิสเตอร์เพิ่มเติมที่ใช้ในการควบคุมการเข้าถึงการอ่านและเขียนของเซลล์จัดเก็บ แม้ว่า SRAM ทั่วไปจะใช้ทรานซิสเตอร์หกตัวในการจัดเก็บแต่ละบิต แต่ก็มี SRAM ที่ใช้ทรานซิสเตอร์แปด สิบตัวขึ้นไปเพื่อจัดเก็บบิตเดียว เมื่อจำนวนทรานซิสเตอร์ลดลง ขนาดของเซลล์หน่วยความจำจะลดลง เซลล์ SRAM แต่ละเซลล์สามารถอยู่ในสถานะที่แตกต่างกันสามสถานะเรียกว่าอ่าน เขียน และสแตนด์บาย เซลล์อยู่ในสถานะการอ่านเมื่อมีการร้องขอข้อมูล และอยู่ในสถานะการเขียนเมื่อมีการแก้ไขข้อมูลในเซลล์ เซลล์อยู่ในสถานะสแตนด์บายเมื่อไม่ได้ใช้งาน
DRAM แบบไดนามิก (DRAM) คืออะไร
DRAM ยังเป็นหน่วยความจำแบบระเหยที่ใช้ตัวเก็บประจุแยกกันเพื่อเก็บแต่ละบิต ตัวเก็บประจุเมื่อไม่มีประจุจะแสดงค่า 0 ของบิต และเมื่อประจุไฟฟ้าแทนค่า 1 เนื่องจากตัวเก็บประจุจะคายประจุตามกาลเวลา จึงต้องมีการรีเฟรชเป็นระยะเพื่อรักษาค่าที่เก็บไว้ในตัวเก็บประจุเซลล์หน่วยความจำแต่ละเซลล์ใน DRAM ประกอบด้วยตัวเก็บประจุและทรานซิสเตอร์ และเซลล์เหล่านี้จัดอยู่ในอาร์เรย์สี่เหลี่ยม DRAMS ใช้กันอย่างแพร่หลายสำหรับความทรงจำหลักในคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคลและสถานีเกม เนื่องจากมีราคาถูกกว่า DRAM ผลิตขึ้นเป็นวงจรรวม (IC) ที่มาในบรรจุภัณฑ์พลาสติกพร้อมหมุดโลหะที่สามารถต่อเข้ากับบัสได้ ปัจจุบันมี DRAM ในตลาดที่ผลิตขึ้นเป็นโมดูลปลั๊กอิน ซึ่งจัดการได้ง่ายกว่า Single In-line Pin Package (SIPP), Single In-line Memory Module (SIMM) และ Dual In-line Memory Module (DIMM) เป็นตัวอย่างบางส่วนของโมดูลดังกล่าว
RAM แบบคงที่และ RAM แบบไดนามิกแตกต่างกันอย่างไร
แม้ว่าทั้ง SRAM และ DRAM จะเป็นความทรงจำที่ผันผวน แต่ก็มีความแตกต่างที่สำคัญบางประการ เนื่องจาก DRAM ต้องการตัวเก็บประจุตัวเดียวและทรานซิสเตอร์สำหรับเซลล์หน่วยความจำแต่ละเซลล์ โครงสร้างจึงง่ายกว่า SRAM ซึ่งใช้ทรานซิสเตอร์ 6 ตัวสำหรับเซลล์หน่วยความจำแต่ละเซลล์ ในทางกลับกัน เนื่องจากการใช้ตัวเก็บประจุ DRAM จึงต้องมีการรีเฟรชเป็นระยะๆ เมื่อเทียบกับ SRAMDRAM มีราคาถูกกว่าและช้ากว่า SRAM ดังนั้นจึงใช้สำหรับหน่วยความจำหลักขนาดใหญ่ของคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคล เวิร์กสเตชัน ฯลฯ ในขณะที่ SRAM ใช้สำหรับหน่วยความจำแคชที่เล็กกว่าและเร็วกว่า
คุณอาจชอบอ่าน:
1. ความแตกต่างระหว่าง RAM และ ROM
2. ความแตกต่างระหว่าง RAM และหน่วยความจำแคช
3. ความแตกต่างระหว่างหน่วยความจำหลักและรอง
4. ความแตกต่างระหว่าง RAM และโปรเซสเซอร์